LED照明产业一直备受关注，历经数年的爆发式发展伴随着的也是各种质疑声。行业里存在的产能过剩、标准缺失、核心技术匮乏、产品质量良莠不齐、成本控制等问题一直被业内诟病。那么，行业究竟面临着怎样的现状，未来发展趋势将如何?这些无疑已成为此次研讨会讨论的重点。

GT Advanced Technologies(以下称GTAT)的副总裁Paul Beaulieu在谈到如何降低LED外延晶片生产成本时，提出ASF长晶炉、提高产能HVPE设备、SIC长晶炉和Hy离子注入机。

在谈到ASF长晶炉，paul介绍这款设备是从下到上生长的，这个技术对于温控系统的精度要求较高，这也是GTAT的优势之一。另外，值得提起的是ASF的长晶炉从研发初期能长晶85公斤的到后来的110公斤遭到现在的115公斤，都是在同一台设备上。对于从下往上长晶的方法在长晶的过程中能迅速排出气泡，不同于一般从上往下的长晶设备。

GTAT副总裁Paul称，虽然LED市场已经回暖，GTAT作为上游设备的供应商，对于这种能长出大尺寸蓝宝石的设备还是有很大的市场需求的。作为一些行业内的**企业，对于这种设备的需求是很明显的。因为GTAT知道蓝宝石材料是非常珍贵的。如果能够降低它的成本，肯定能获得市场的肯定。同时这一直都是GTAT的发展方向。另外Paul表示GTAT官网上有些有关蓝宝石的参数报告，可以供更深的了解。

在谈到HVPE设备时，Paul表示它能够提供更快的磊晶方式生长晶片。这种设备的能降低成本是因为采用了统一的多晶片的**的注射系统，比传统的MOCVD更低;另外就是HVPE联合mocvd可以改变有些层的磊晶效果，而且HVPE更适合工业生产。更大的提高了工厂的产能。另外，Paul强调如果外延片厂家用HVPE可以降低25%的磊晶成本，同时能将产能翻番。Paul表示6MOCVD+3HVPE的产能=12台MOCVD的产能。

对于**后GTAT还推出了SiC的晶体生长炉，所生长的碳化硅是高温半导体材料将用于电力电子产品设备;GT在Q2发布了其**代硅硬质合金升华炉期望SiC业务将坡道缓慢鉴于设计周期长新电力设备;长期增长机会是在配对SiC与Hyperion技术。对于HY离子注入机，据Paul介绍该设备拥有多款专利，可以降低市场成本;并且该设备生产的东西更薄，未来的市场会很大。