日前，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界**个半浮栅晶体管(SFGT)研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。该成果的研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现在集成电路的核心器件。在过去的几十年里，各国科学家努力将更多的MOSFET集成到一块芯片上来提高运算能力，钻研如何实现更小尺寸的元器件。张卫表示，随着器件尺寸越来越接近其物理极限，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管的前瞻研发就是在这种情况下展开的。研究团队将隧穿场效应晶体管(TEET)和MOSFET相结合，构建成了一种名为“半浮栅”的新型基础器件。

论文**作者王鹏飞教授解释说，“隧穿”是量子世界的常见现象，可以“魔术般”地通过固体，好像拥有了穿墙术。“隧穿”势垒越低，相当于“墙”就越薄，器件隧穿所需电压也就越低。把TFET和浮栅晶体管相结合，半浮栅晶体管(SFGT)的“数据”擦写更加容易、迅速。 (据科技日报报道)