所幸08年LED开始普遍应用在NB背光源中，由于平均单位使用量达40颗左右，产品单价也高，厂商积极布局，使得NB背光源市场快速增长，抵销手机市场衰退负面影响，使得便携式产品市场占有率止跌回稳。

    LED技术持续快速增长，支持产业增长就应用角度分析，尽管LED发光效率已远超过白炽灯与卤素灯泡，甚至超越大部分荧光灯源，但为了扩张LED应用领域，降低LED生产成本，LED亮度与发光效率提升仍是近年来LED技术发展重心。

    01年标准型白光LED（20mA）发光效率仅25lm/W，至2009年初Nichia发表的白光LED，在20mA电流下，其发光效率可达249lm/W，为目前业界之**。高功率白光LED（350mA）发光效率也由2004年约30lm/W，截至2008年年底Cree发表161lm/W产品为业界之**。

    LED发光效率除了影响到光通量输出，以及耗能外，\"热\"是另外一个重要关键，以目前普遍商品化LED发光效率分析，1W高功率LED发光效率约在70lm/W左右，其中有77%能量以热的型态表现出来，仅有23%能量以光的型态表现出来，当输入功率愈高，产生的热量愈多，因此需要更多的散热组件，导致LED成本提高、可靠度降低，若能提高LED发光效率，LED散热问题自然可以解决。

    LED制程阶段中，提升LED发光效率方法。提升LED发光效率，也就是提升LED组件外部可测量到光子数除以外部注入LED电子数间的比例。影响发光效率主要因素有内部量子效率（InternalQuantumEfficiency）与光提取效率（LightExtractionEfficiency）提升。

    内部量子效率表示每秒从LED发光层发射出光子数除以每秒从外部注入电子数。简单说，就是LED组件本身电光转换效率，主要与组件本身特性如组件材料能带、缺陷、杂质及组件外延组成及结构相关。

    光提取效率是指LED内部产生光子，在经过组件本身吸收、折射、反射后实际上在组件外部可测量到光子数目。影响LED提取效率因素包括LED电特性（ELectricalEfficiency）、LED芯片取光效率（ExtractionEfficiency）、与LED封装效率（PackagingEfficency）。目前LED受限于材料吸收及电流分布不均以及临界角损失等因素，以致于发光层所发出光量，仅有少部分真正能从LED向外发出。换言之，纵使LED内部量子效率极高，但是在LED外部所能真正接收到的光却很少，因此LED取光效率提升仍有很大技术瓶颈待克服。