中国的LED产业是从利润相对微薄的产业链中下游发展气力啊的，上游设备和芯片环节力量的薄弱一直是国内广大LED业者心中的痛。几年来，国内LED上游企业通过一系列自主科技创新，在和国外企业不断抗争的过程中，逐渐成长壮大起来。

一方面，MOCVD设备的国产化打破了国外企业的垄断。长期以来，作为生产LED芯片的关键设备，MOCVD设备市场一直为欧美企业所占据。设备是进口来的，操作设备的工程师也是雇佣来的，一旦人员流失，企业几乎毫无技术积累。显然，这种商业模式在市场好的时候确实能赚点钱，而市场不好的时候，自然难以为继。所以说，国产设备是我国LED技术创新的载体，中国LED产业要想进一步发展，必须有国产设备做支撑。为此，《半导体照明科技发展“十二五”专项规划》提出，要实现大型MOCVD设备及关键配套材料的国产化。

去年年底开始，来自广东昭信、光达光电等企业有关MOCVD设备国产化的好消息不断传来。具有自主知识产权的MOCVD设备国产化成功，以为相关技术长期被国外垄断的局面将被打破，国内LED自主产业生态链也将更加完善。

但是，很多业内人士开始为国产MOVCD设备的生存空间担忧：经过了一轮疯狂采购之后，又遭遇当前不景气的市场，外延新盘厂家还有心思去定制新的MOVCD设备吗?生不逢时的国产设备如何在竞争激烈的市场中立足?据**新市场研究数据，随着LED照明应用的飞速发展，预计2013年国内对MOCVD设备的需求在300台左右，而未来3-5年内，需求量将激增至3000台。因此，生不逢时的说法是不正确的，市场空间并不是问题，关键是国内设备生产企业要做好规划，步步为营，足部扩大产销量。

另一方面，国内LED外延芯片企业也从2000年3-5家，发展到2009年的30多家和2012年的70-80家。经过几年的技术积累，我国硅基大功率LED芯片终于成功量产，不仅在新片片尺寸上有了大的飞跃，而且发光效率也从早期小尺寸芯片的90lm/W提高到超过120lm/W，具有垂直结构、散热好、耐电流密度高、结构简单等综合优势，且已成功应用与路灯、球泡灯、手电筒、矿灯头灯等室内外高端照明产品。截至目前，国产硅基大功率LED芯片的发光效率已达到130lm/W，可与世界**芯片并驾齐驱。

众所周知，硅衬底材料与GaN材料大的晶格常数与热膨胀系数差异直接影响芯片质量的主要原因。国内企业通过图形化衬底，采用AIN及AlGaN多层暖冲层等各种方式引入压应里，减少硅衬底与GaN之间的张应里，从而消除外延层的龟裂。相对创新技术已在多个国家和地区提出了申请。而完整的硅基LED芯片自主知识产权，将为国内企业走好继蓝宝石衬底、碳化硅衬底之外的第三条半导体照明技术路子打下坚实基础。硅基LED技术的大规模应用将会凸显大规模制造的生产效率优势和成本优势。特别是新一代硅基大功率LED芯片，将进一步提升LED照明产品性能、降低LED照明产品成本，对加快LED照明产品进入千家万户具有里程碑式的意义。